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消息稱(chēng)蘋(píng)果正測(cè)試 ALD 工藝，為下一代 iPhone Pro 鏡頭添加抗反射光學(xué)涂層

IT之家 4 月 16 日消息，消息源 yeux1122 近日在其 Naver 博客上曝料，表示從蘋(píng)果供應(yīng)鏈處獲悉，蘋(píng)果正測(cè)試新的抗反射光學(xué)涂層技術(shù)，可以減少鏡頭炫光和鬼影等偽影，從而提高照片質(zhì)量。供應(yīng)鏈消息稱(chēng)蘋(píng)果正在考慮在 iPhone 相機(jī)鏡頭制造工藝中，引入新的原子層沉積（ALD）設(shè)備。原子層沉積（Atomic layer deposition，ALD）是一種基于連續(xù)使用氣相化學(xué)過(guò)程的薄膜沉積技術(shù)，將物質(zhì)以單原子膜形式逐層鍍?cè)谝r底表面的方法。ALD 是一種真正的納米技術(shù)
關(guān)鍵字： ALD iPhone Apple

建設(shè)高端半導(dǎo)體裝備，SRII賦能新一代集成電路制造

思銳智能攜業(yè)界尖端的離子注入（IMP）和原子層沉積（ALD）技術(shù)亮相SEMICON China 2024，持續(xù)建設(shè)全球一流的高端半導(dǎo)體制造裝備，廣泛賦能集成電路、第三代半導(dǎo)體等諸多高精尖領(lǐng)域。展會(huì)現(xiàn)場(chǎng)精彩瞬間思銳智能離子注入機(jī)（IMP）模型根據(jù)SEMI的數(shù)據(jù)，受芯片需求疲軟等影響，2023年全球半導(dǎo)體設(shè)備銷(xiāo)售額為1056億美元，同比下降1.9%，而中國(guó)大陸地區(qū)半導(dǎo)體設(shè)備銷(xiāo)售額同比增長(zhǎng)28.3%。中國(guó)對(duì)成熟節(jié)點(diǎn)技術(shù)表現(xiàn)出了強(qiáng)勁的需求和消費(fèi)能力?？v觀全局，離子注入已成為半導(dǎo)體器件制備中最主要的摻雜方法，是最基
關(guān)鍵字：高端半導(dǎo)體裝備 SRII 集成電路制造思銳智能 SEMICON China 離子注入 IMP 原子層沉積 ALD

立足產(chǎn)業(yè)發(fā)展新階段，思銳智能以先進(jìn)ALD技術(shù)拓展超摩爾時(shí)代新維度

日前，以“凝聚芯合力，發(fā)展芯設(shè)備”為主題的第十屆（2022）中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備年會(huì)（CSEAC）在無(wú)錫太湖國(guó)際博覽中心隆重召開(kāi)。中國(guó)集成電路創(chuàng)新聯(lián)盟秘書(shū)長(zhǎng)、中國(guó)半導(dǎo)體協(xié)會(huì)集成電路分會(huì)理事長(zhǎng)葉甜春在致辭中強(qiáng)調(diào)，中國(guó)集成電路發(fā)展到現(xiàn)在，確實(shí)需要進(jìn)入新的階段。這帶來(lái)的變化就是從被動(dòng)到主動(dòng)的變化。如今，既然我們有自己的體系，就需要從系統(tǒng)應(yīng)用、設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)、裝備、裁量、零部件形成內(nèi)循環(huán)，然后對(duì)接國(guó)際資源構(gòu)建國(guó)內(nèi)國(guó)際雙循環(huán)，最終主動(dòng)打造一個(gè)以我為主的全球化的新生態(tài)。在百年未有之大變局下，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)同樣迎接巨變。隨著半
關(guān)鍵字：思銳智能 ALD 超摩爾時(shí)代

創(chuàng)新，引領(lǐng)未來(lái)

原子層沉積(ALD, Atomic Layer Deposition)工藝，是當(dāng)前及未來(lái)工藝節(jié)點(diǎn)相關(guān)的收縮及更復(fù)雜器件幾何形狀上沉積薄層材料的關(guān)鍵技術(shù)。如今，隨著技術(shù)節(jié)點(diǎn)以驚人的速度持續(xù)進(jìn)步，精確而又高效地生成關(guān)鍵器件特征成為了一項(xiàng)持久的挑戰(zhàn)。原子層沉積工藝依靠專(zhuān)業(yè)的高性能原子層沉積閥在數(shù)百萬(wàn)個(gè)脈沖中輸送精確的化學(xué)品劑量，構(gòu)建形成材料層。為了達(dá)到原子級(jí)精密度和高生產(chǎn)良品率，輸送這些脈沖式化學(xué)品劑量的閥門(mén)必須日益精確且一致。世偉洛克一直致力于此，不斷刷新ALD閥使用壽命、響應(yīng)時(shí)間、高溫高流量應(yīng)用
關(guān)鍵字：原子層沉積 ALD 世偉洛克超高純隔膜閥

原子級(jí)工藝實(shí)現(xiàn)納米級(jí)圖形結(jié)構(gòu)的要求

原子層刻蝕和沉積工藝?yán)米韵扌苑磻?yīng)，提供原子級(jí)控制。泛林集團(tuán)先進(jìn)技術(shù)發(fā)展事業(yè)部公司副總裁潘陽(yáng)博士?分享了他對(duì)這個(gè)話題的看法。圖 1.?原子層工藝中的所有半周期反應(yīng)是自限性反應(yīng)。技術(shù)節(jié)點(diǎn)的每次進(jìn)步都要求對(duì)制造工藝變化進(jìn)行更嚴(yán)格的控制。最先進(jìn)的工藝現(xiàn)在可以達(dá)到僅7 nm的fin寬度，比30個(gè)硅原子稍大一點(diǎn)。半導(dǎo)體制造已經(jīng)跨越了從納米級(jí)到原子級(jí)工藝的門(mén)檻。工程師現(xiàn)在必須關(guān)注結(jié)構(gòu)的尺寸變化，僅相當(dāng)于幾個(gè)原子大小。由于多重圖案模式等復(fù)雜集成增加了工藝數(shù)量，進(jìn)一步限制了每個(gè)步驟允許的變化。3D N
關(guān)鍵字： ALE ALD CER EPE SAC CAR

國(guó)內(nèi)首臺(tái)集成電路ALD設(shè)備進(jìn)駐上海集成電路研發(fā)中心

　　近日，由北方華創(chuàng)下屬子公司北方華創(chuàng)微電子自主研發(fā)的國(guó)內(nèi)首臺(tái)12英寸原子層沉積(AtomicLayerDeposition，ALD)設(shè)備進(jìn)駐上海集成電路研發(fā)中心。北方華創(chuàng)微電子為國(guó)產(chǎn)高端裝備在先進(jìn)集成電路芯片生產(chǎn)線的應(yīng)用再添新秀。　　ALD設(shè)備是先進(jìn)集成電路制造工藝中必不可少的薄膜沉積設(shè)備，ALD工藝具有工藝溫度低、薄膜厚度控制精確及臺(tái)階覆蓋率高等優(yōu)點(diǎn)。在集成電路特征線寬發(fā)展到28納米節(jié)點(diǎn)后，ALD工藝應(yīng)用日益廣泛。北方華創(chuàng)微電子自2014年開(kāi)始布局ALD設(shè)備的開(kāi)發(fā)計(jì)劃，歷時(shí)四年，成功推出中國(guó)首臺(tái)應(yīng)
關(guān)鍵字： ALD 集成電路

ALD技術(shù)在未來(lái)半導(dǎo)體制造技術(shù)中的應(yīng)用

由于低溫沉積、薄膜純度以及絕佳覆蓋率等固有優(yōu)點(diǎn)，ALD（原子層淀積）技術(shù)早從21世紀(jì)初即開(kāi)始應(yīng)用于半導(dǎo)體加工制造。DRAM電容的高k介電質(zhì)沉積率先采用此技術(shù)，但近來(lái)ALD在其它半導(dǎo)體工藝領(lǐng)域也已發(fā)展出愈來(lái)愈廣泛的應(yīng)用。
關(guān)鍵字： ALD 半導(dǎo)體制造 FinFET PVD CVD

液化空氣集團(tuán)電子氣業(yè)務(wù)加強(qiáng)高介電常數(shù)鋯基前驅(qū)體的專(zhuān)利保護(hù)

　液化空氣集團(tuán)電子氣業(yè)務(wù)線近日宣布，其應(yīng)用于半導(dǎo)體制造的前驅(qū)體ZyALD已獲得中國(guó)專(zhuān)利局授予的相關(guān)專(zhuān)利，從而使中國(guó)成為了繼韓國(guó)、新加坡、中國(guó)臺(tái)灣以及部分歐洲國(guó)家之后又一獲得該項(xiàng)專(zhuān)利的國(guó)家。此外，相關(guān)專(zhuān)利的申請(qǐng)工作在其他國(guó)家及地區(qū)也預(yù)期順利。ZyALD及其它類(lèi)似分子應(yīng)用于高介電常數(shù)沉積鍍膜，該工藝目前已在全球范圍內(nèi)獲得11項(xiàng)專(zhuān)利，另有13項(xiàng)專(zhuān)利正在申請(qǐng)中。　　ZyALD是上述已獲專(zhuān)利的系列分子中一種重要的鋯前驅(qū)體(功能分子)。該分子能夠在半導(dǎo)體制造工藝中，實(shí)現(xiàn)高溫條
關(guān)鍵字：液化空氣 ZyALD ALD

ASM：邁入FinFET將需要全方位ALD方案

　　半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在轉(zhuǎn)換到3D結(jié)構(gòu)，進(jìn)而導(dǎo)致關(guān)鍵薄膜層對(duì)高速原子層沉積(ALD)的需求日益升高。過(guò)去在平面元件中雖可使用幾個(gè) PVD 與 CVD 步驟，但就閘極堆疊的觀點(diǎn)而言，過(guò)渡到 FinFET 元件將需要全方位的 ALD 解決方案。　　就 FinFET 而言，以其尺寸及控制關(guān)鍵元件參數(shù)對(duì)后閘極 (gate last) 處理的需求來(lái)說(shuō)，在 14 奈米制程必需用到全 ALD 層。半導(dǎo)體設(shè)備大廠 ASM International (ASMI) 針對(duì)此一趨勢(shì)，與《電子工程專(zhuān)輯》談到了ALD 技術(shù)在先進(jìn)半導(dǎo)
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 FinFET ALD

ALD中射頻阻抗匹配器的設(shè)計(jì)與研究

摘要：闡述原子層沉積系統(tǒng)(ALD)中射頻阻抗匹配器的設(shè)計(jì)方案。利用ADS軟件對(duì)阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行仿真，通過(guò)分析ALD真空腔室內(nèi)等離子體產(chǎn)生前后的負(fù)載阻抗變化，結(jié)合仿真結(jié)果，提出等離子體產(chǎn)生過(guò)程中阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)的控制方
關(guān)鍵字：設(shè)計(jì) 研究匹配阻抗射頻 ALD

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